三星电子一位高管周二表示 ，预计明年高带宽内存（HBM）将占到DRAM芯片制造商晶圆总产能的近30% ，高于近来 的约20% 。
三星电子执行副总裁Kim Taewoo表示，HBM与标准DRAM争夺相同的晶圆产能 ，这意味着扩大HBM产量可能会限制标准DRAM的供应 。
HBM是人工智能计算的关键组件 ，由垂直堆叠的存储芯片构成，使处理器能够高速访问海量数据。该市场近来 主要由韩国的SK海力士和三星电子以及美国的美光科技主导 。
三星高管预计明年HBM将占到行业DRAM产能的近30%
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